大功率发光二极管芯片的封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种大功率发光二极管芯片的封装结构，包括金属基座、金属反射杯、大功率发光二极管芯片、电路板，所述电路板通过固定螺栓固定在金属基座内槽的两端，电路板上有引脚通电端和引脚输出端，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在金属基座的中间，大功率发光二极管芯片的电极通过导线与电路板上的引脚导电端连接，电路板的引脚通电端位于金属基座外，金属反射杯通过固定螺栓固定在金属基座上，金属反射杯与金属基座的空腔为填充树脂。
基本信息
专利标题 ：
大功率发光二极管芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820164083.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-11
授权号 ：
CN201273537Y
授权日 ：
2009-07-15
发明人 ：
程野
申请人 ：
杭州友旺科技有限公司
申请人地址 ：
310052浙江省杭州市滨江区环兴路1号厂房1楼(高新区)
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820164083.8
主分类号 ：
F21V19/00
IPC分类号 ：
F21V19/00 F21V23/00 F21V29/00 F21V7/22 H01L33/00 F21Y101/02
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F21
照明
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件；不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件；不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V19/00
光源或灯架的固定
法律状态
2018-08-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : F21V 19/00
申请日 : 20080911
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20170911
申请日 : 20080911
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20170911
2009-07-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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