大功率发光二极管芯片的封装结构
专利权的终止
摘要
一种大功率发光二极管芯片的封装结构,包括大功率发光二极管芯片、金属基座以及塑料构件,所述金属基座的表面开有反射凹杯,大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在凹杯的底面,塑料构件与金属基座通过塑料构件上的四只塑料脚连接,金属基座的凹杯套在塑料构件内,塑料构件内封装导电片,导电片设有芯片电极连接端与引脚输出端,导电片的芯片电极连接端通过导线与大功率发光二极管芯片的电极连接,塑料构件与金属基座反射凹杯的空腔为填充树脂。
基本信息
专利标题 :
大功率发光二极管芯片的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820164084.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-09-11
授权号 :
CN201255376Y
授权日 :
2009-06-10
发明人 :
程野
申请人 :
杭州友旺科技有限公司
申请人地址 :
310052浙江省杭州市滨江区环兴路1号厂房1楼(高新区)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820164084.2
主分类号 :
F21V19/00
IPC分类号 :
F21V19/00 F21V7/10 F21V29/00 F21V23/00 H01L33/00 F21Y101/02
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F21
照明
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件;不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件;不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V19/00
光源或灯架的固定
法律状态
2018-08-28 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : F21V 19/00
申请日 : 20080911
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20170911
申请日 : 20080911
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20170911
2009-06-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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