发光二极管封装结构及芯片组件
授权
摘要
本申请实施例提供一种发光二极管封装结构及芯片组件，包括衬底及封装层，衬底包括对衬底预设区域由第一表面侧掺杂形成的相互绝缘的第一电极和第二电极，发光二极管固定在衬底的第一表面，发光二极管的触角分别与第一电极和第二电极电连接设置，封装层覆盖发光二极管设置。由于在衬底上掺杂形成第一电极和第二电极，在第一表面上第一电极与第二电极不突出于第一表面，从而能够简化封装结构及封装工艺流程，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管封装结构及芯片组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021641629.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
CN213242591U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
毛德丰聂泳忠
申请人 ：
西人马联合测控（泉州）科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市洛江区双阳街道新南社区
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202021641629.1
主分类号 ：
H01L33/62
IPC分类号 ：
H01L33/62 H01L33/48 H01L33/52 H01L33/56
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法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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