一种氧化镓基紫外发光二极管
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摘要
本实用新型涉及一种氧化镓基紫外发光二极管，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3层、Ga2O3/GaN量子阱有源区、p型AlN/Ga2O3超晶格结构电子阻挡层、p型Ga2O3层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Ga2O3层上引出n型欧姆电极。本实用新型的优点在于：由于p型AlN/Ga2O3超晶格结构具有高吸收系数、高横向载流子迁移率，对载流子具有强的量子限制效应，作为电子阻挡层能够有效抑制电子溢出有源区；另外，采用p型Ga2O3层，能够极大地增加p型区的空穴浓度，降低空穴激活能，提高空穴注入效率，从而提高载流子在有源区的复合效率。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化镓基紫外发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922329880.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN213071163U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
孙智江王书昶冯源穆久涛张哲
申请人 ：
海威半导体（南通）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋市城南街道海阳南路南延1号1号楼4层
代理机构 ：
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐文
优先权 ：
CN201922329880.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/02 H01L33/04 H01L33/00
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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