发光二极管及其形成方法
授权
摘要
本申请实施例提供一种发光二极管及其形成方法，其中，发光二极管至少包括：衬底、位于衬底之上且具有叠层结构的有源层、和位于所述有源层之上的其他结构层；所述有源层由两种不同的张应变材料循环堆叠形成，其中，第一种应变材料的张应变大于第一应变阈值，第二种应变材料的张应变小于第二应变阈值；所述第一应变阈值大于或等于所述第二应变阈值。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112838150A
申请号 ：
CN202011623094.X
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112838150B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
赵建宜李景磊
申请人 ：
武汉光迅科技股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔晓岚
优先权 ：
CN202011623094.X
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/24 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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