发光二极管制作方法及其发光二极管
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种发光二极管制作方法及其发光二极管，属于发光二极管技术领域，解决了现有技术中存在的由于难以形成欧姆接触而影响发光二极管发光效率的问题。发光二极管制作方法包括提供一设置有外延结构的衬底，外延结构至少包括沿背离于衬底方向依次层叠设置的P型掺杂GaN层、透明导电层以及HfO2层；在氮气气氛下，对HfO2层进行退火处理,以使HfO2层界面两侧的电负性差异减小；在HfO2层上蒸镀第一电极。本申请通过在透明导电层与第一电极之间插入HfO2层，达到提高第一电极与外延结构之间的欧姆接触性能的效果。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管制作方法及其发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335271A
申请号 ：
CN202111614683.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晨幼
优先权 ：
CN202111614683.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/58 H01L33/14 H01L33/42
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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