微型发光二极管及其制作方法

授权

摘要

公开了一种微型发光二极管、显示装置及其制作方法，其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线，达到Micro‑LED全测目的。微型发光二极管芯片（100）包括：外延叠层（110），依次包含第一类型半导体层（112）、有源层（113）、第二类型半导体层（114），其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极（121），形成于外延叠层（110）的第二表面之上，与第一类型半导体层（112）连接；第二电极（122），形成于外延叠层（110）的第二表面之上，与第二类型半导体层（114）连接；第一电极（121）和第二电极（122）表面上分别设有第一连接区（123）。第一连接区（123）可从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。

基本信息

专利标题：

微型发光二极管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109923683A

申请号：

CN201780049112.8

公开（公告）日：

2019-06-21

申请日：

2017-09-15

授权号：

CN109923683B

授权日：

2022-04-05

发明人：

李佳恩徐宸科吴政

申请人：

厦门市三安光电科技有限公司

申请人地址：

福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201780049112.8

主分类号：

H01L33/36

IPC分类号：

H01L33/36 H01L33/12

法律状态

2022-04-05 ：

授权

2019-07-16 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 33/36
申请日 : 20170915

2019-06-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载