碳纳米管结构及其制造方法、场发射装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。
基本信息
专利标题 ：
碳纳米管结构及其制造方法、场发射装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1830766A
申请号 ：
CN200610008640.2
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩仁泽金夏辰
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610008640.2
主分类号 ：
C01B31/02
IPC分类号 ：
C01B31/02 B82B3/00 H01J29/02 H01J31/12 H01J9/02
法律状态
2011-08-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101177301787
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2006100086402
公开日 : 20060913
号牌文件序号 : 101177301787
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2006100086402
公开日 : 20060913
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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