碳纳米管发射器及利用其的场发射器件及它们的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
基本信息
专利标题 ：
碳纳米管发射器及利用其的场发射器件及它们的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767122A
申请号 ：
CN200510113205.1
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李亢雨陈勇完韩仁泽金夏辰裵民钟
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510113205.1
主分类号 ：
H01J1/304
IPC分类号 ：
H01J1/304 H01J9/02 C01B31/02 H01J31/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
H01J1/304
场致发射阴极
法律状态
2015-12-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636684783
IPC(主分类) : H01J 1/304
专利号 : ZL2005101132051
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20141012
号牌文件序号 : 101636684783
IPC(主分类) : H01J 1/304
专利号 : ZL2005101132051
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20141012
2009-12-09 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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