制造和纯化碳纳米管的方法
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摘要
本发明涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面，本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中，制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n,m)纳米管晶种和非(n,m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射多种纳米管晶种，第二波长与第一波长不同。第一波长对应于(n,m)碳纳米管的最大吸收，并且第二波长对应于(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率。
基本信息
专利标题 ：
制造和纯化碳纳米管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109205593A
申请号 ：
CN201811182278.X
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2016-01-22
授权号 ：
CN109205593B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
K·D·洪菲尔德
申请人 ：
波音公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
张全信
优先权 ：
CN201811182278.X
主分类号 ：
C01B32/17
IPC分类号 ：
C01B32/17 C01B32/159 C09K11/65
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/168
后处理
C01B32/17
纯化
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/17
申请日 : 20160122
申请日 : 20160122
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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