单层碳纳米管的制造方法
专利权的终止
摘要
一种单层碳纳米管的制造方法，适于制造高纯度的单层碳纳米管。此单层碳纳米管的制造方法包括下列步骤。首先，将含有原料烃、茂金属及硫化合物的原料混合物以烟雾状导出到以1～50m/sec的流通线速度而流通有氢气的导出区域中，其中，对于上述氢气及上述原料混合物的合计质量而言，上述原料烃的浓度为0.01～2.0质量％，上述茂金属的浓度为0.001～0.2质量％，且上述硫化合物的浓度对于上述茂金属的质量比为1/8～4倍的比例。接着，使上述氢气及所导出的上述原料混合物流通于设定为800～1,000℃的反应区域。
基本信息
专利标题 ：
单层碳纳米管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101087730A
申请号 ：
CN200580042697.8
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤村守雄大嵨哲八名纯三福间香织
申请人 ：
日机装株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
左一平
优先权 ：
CN200580042697.8
主分类号 ：
C01B31/02
IPC分类号 ：
C01B31/02
法律状态
2018-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C01B 31/02
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20171212
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20171212
2010-01-13 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101087730A.PDF
PDF下载
2、
CN100579900C.PDF
PDF下载
