单层碳纳米管及其制备方法、以及电子元件的制备方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。通过将在化学气相沉积装置的反应部位的外部利用自然蒸发等来气化醇或醇的水溶液而得到的气体导入该反应部位来进行反应。醇的水溶液中醇浓度范围为50％～95％。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。
基本信息
专利标题 ：
单层碳纳米管及其制备方法、以及电子元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101007631A
申请号 ：
CN200610002907.7
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王钰付磊刘云圻梶浦尚志
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610002907.7
主分类号 ：
C01B31/02
IPC分类号 ：
C01B31/02
法律状态
2012-05-30 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101365730471
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2006100029077
公开日 : 20070801
号牌文件序号 : 101365730471
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利申请号 : 2006100029077
公开日 : 20070801
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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