利用电弧制造发射器的设备和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了通过在真空室内部使电弧撞击晶片表面来制造发射器的方法和设备。所述设备包括:其中插入晶片的真空室;用于在所述真空室内部产生均匀磁场的磁场产生单元;用于在真空室内部形成与所述磁场平行的电场的电场产生单元;用于朝向晶片发射电子的主发射器。由主发射器发射的电子沿所述电场和磁场移动。控制所述电场的强度和主发射器的驱动电压,当所述电场或驱动电压超过阈值时产生电弧。由此,晶片的表面被电弧瞬时熔化并固化,由此在晶片的表面上形成具有尖锐尖端的发射器。
基本信息
专利标题 :
利用电弧制造发射器的设备和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1822280A
申请号 :
CN200510113376.4
公开(公告)日 :
2006-08-23
申请日 :
2005-10-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
文昌郁柳寅儆
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200510113376.4
主分类号 :
H01J9/02
IPC分类号 :
H01J9/02 C23C14/22 H01J31/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法;从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2010-11-24 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101043002915
IPC(主分类) : H01J 9/02
专利申请号 : 2005101133764
公开日 : 20060823
号牌文件序号 : 101043002915
IPC(主分类) : H01J 9/02
专利申请号 : 2005101133764
公开日 : 20060823
2008-04-02 :
实质审查的生效
2006-08-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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