结构体的制造方法和制造装置
实质审查的生效
摘要
结构体的制造方法，具有对蚀刻对象物进行光电化学蚀刻的工序，该工序包括：向保持有至少表面由Ⅲ族氮化物构成的蚀刻对象物并能够旋转地进行保持的容器中，注入含接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液，使所述表面浸渍于所述蚀刻液中的工序；在所述蚀刻对象物和所述蚀刻液静止的状态下，对于被所述容器保持的所述蚀刻对象物的所述表面照射光的工序；对所述表面照射所述光后，使所述容器旋转而使所述蚀刻液飞散至外周侧，由此从所述容器排出所述蚀刻液的工序。
基本信息
专利标题 ：
结构体的制造方法和制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270478A
申请号 ：
CN202080056785.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
堀切文正福原昇
申请人 ：
株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN202080056785.8
主分类号 ：
H01L21/3063
IPC分类号 ：
H01L21/3063
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3063
电解腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3063
申请日 : 20200706
申请日 : 20200706
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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