散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种散热基板，用于器件芯片的散热，该散热基板包括：基板本体；至少一个第一导热孔结构，其中，每一所述第一导热孔结构均包括在厚度方向上贯穿所述基板本体的第一通孔、以及填充在该第一通孔内的第一导热材料；第一连接部，该第一连接部形成在所述基板本体的正面，所述散热基板通过所述第一连接部连接至器件芯片的背面。相应地，本发明还提供了一种散热基板的制造方法、以及安装有该散热基板的封装结构及其制造方法。实施本发明有利于提高封装结构的散热性能。
基本信息
专利标题 ：
散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388458A
申请号 ：
CN202111590863.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏涛赖志国杨清华钱盈王友良于保宁
申请人 ：
苏州汉天下电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39幢
代理机构 ：
北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李非非
优先权 ：
CN202111590863.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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