隔离结构的制造方法

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摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种隔离结构制造方法。该方法包括：在衬底层上进行光刻，形成第一光刻图形；第一光刻图形定义出隔离结构的N型区和P型区；基于第一光刻图形，进行N型杂质离子注入，使得在N型区中形成N型杂质注入层；通过热过程，使得N型杂质注入层加深；在衬底层上进行光刻，形成第二光刻图形；基于第二光刻图形，进行P型杂质离子注入，使得在N型区和P型区中均形成P型杂质注入层；通过热扩散，使得N型杂质注入层中的P型杂质离子被补偿，最终形成N型埋层，使得P型区中的P型杂质离子向下扩散，P型区中的P型杂质注入层加深形成最终P型埋层。

基本信息

专利标题：

隔离结构的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113113471A

申请号：

CN202110268128.6

公开（公告）日：

2021-07-13

申请日：

2021-03-12

授权号：

CN113113471B

授权日：

2022-06-03

发明人：

许昭昭

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

戴广志

优先权：

CN202110268128.6

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/822