一种半导体隔离结构的制造方法

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摘要

本发明提出一种半导体隔离结构的制造方法，包括：提供一衬底，形成保护层于衬底上。形成第一凹槽和第二凹槽于保护层上，且第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。形成第一膜层于保护层上、第一凹槽和第二凹槽内，第一膜层覆盖第一凹槽的底部和侧壁，并填充第二凹槽。形成第二膜层于第一膜层上，且第二膜层填充第一凹槽。刻蚀第二膜层、第一膜层以及衬底，以在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽。填充第一沟槽和第二沟槽，以形成填充体隔离结构。其中，第二膜层的蚀刻率大于第一膜层的蚀刻率。本发明提出的半导体隔离结构的制造方法，改进了隔离结构的制备方法。

基本信息

专利标题：

一种半导体隔离结构的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114121776A

申请号：

CN202210089156.6

公开（公告）日：

2022-03-01

申请日：

2022-01-26

授权号：

CN114121776B

授权日：

2022-04-19

发明人：

蔡明洋王厚有冯永波陶磊

申请人：

晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

王积毅

优先权：

CN202210089156.6

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762 H01L27/146