金属氧化物半导体场效晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效晶体管，其包含基材结构、多个掺杂区域、多个沟槽氧化层、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层具有多个沟槽。每个沟槽的沟槽深度为X1微米。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。多个沟槽氧化层分别形成于多个沟槽的内壁。每个沟槽氧化层的氧化层厚度为X2微米。X1与X2符合以下关系式：0.05X1≤X2≤0.25X1。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于多个半导体层结构上。金属结构形成于介电质层结构上。借此，金属氧化物半导体场效晶体管能承受较高的工作电压、而不会有烧毁的情形发生。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体场效晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020092500.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN211654829U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
徐信佑陈涌昌王振煌
申请人 ：
全宇昕科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张羽
优先权 ：
CN202020092500.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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