金属氧化物半导体晶体管电路
专利权的终止
摘要
通过响应于电源的波动而动态地改变MOS晶体管(P1)的基底偏压来补偿MOS晶体管(P1)的电流性能的降低，因此自动稳定操作速度。NMOS晶体管(N2)产生响应于电源电压的波动程度而改变的电流(I2)，然后所述电流(I2)经由电阻器(R3)被转换为电压以向MOS晶体管(P1)的基底(后栅极)施加正向偏压。当由于电源电压的降低而降低MOS晶体管(P1)的电流性能时，自动执行调整以降低MOS晶体管的门限电压，因此可以补偿操作速度。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体晶体管电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773705A
申请号 ：
CN200510120416.8
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
堤正范
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510120416.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2013-12-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101557327183
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101204168
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20100217
终止日期 : 20121110
号牌文件序号 : 101557327183
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101204168
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20100217
终止日期 : 20121110
2010-02-17 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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