本申请涉及碳化硅半导体组件以及整合二极管及场效晶体管的组件。一种碳化硅半导体组件，特别是一种整合沟槽式肖特基二极管及沟槽式金属氧化物半导体场效晶体管的单片集成结构，包括一半导体基底、一沟槽式金属氧化物半导体场效晶体管及一沟槽式肖特基二极管，该肖特基二极管具有一垂直地设置并且沿一第一水平方向穿过的沟槽、一填入该沟槽的金属电极以及多条分段地设置且沿一第二水平方向延伸而围绕该沟槽的掺杂区，该第一水平方向实质地正交于该第二水平方向，该金属电极在该沟槽中的一侧壁及一底壁形成一肖特基接面，从该金属电极流出的电流被限制在相邻的该掺杂区之间。