具有高散热异质结双极晶体管的半导体组件
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摘要
一种具有高散热异质结双极晶体管的半导体组件，包含基板、至少一异质结双极晶体管、绝缘单元，及散热单元。该至少一异质结双极晶体管具有形成于该基板的半导体单元及电极单元，该绝缘单元覆盖该基板及该至少一异质结双极晶体管，并分别界定出可令该至少一异质结双极晶体管的集电极电极、基极电极，及发射极电极的部分表面露出的开口。该散热单元由导电散热材料构成，覆盖该至少一异质结双极晶体管的发射极电极且厚度不小于3μm，其中，该发射极电极具有经由该开口并沿该绝缘单元表面延伸的电极线，且该散热单元覆盖该电极线并对外裸露。
基本信息
专利标题 ：
具有高散热异质结双极晶体管的半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021274540.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN212230418U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
祁幼铭黄国钧谢坤穆邱宇宸林琪钧卢文彬陈昭宏
申请人 ：
宏捷科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台南市
代理机构 ：
北京泰吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
史瞳
优先权 ：
CN202021274540.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/31 H01L29/737
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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