一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用
公开
摘要
本发明公开了一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用。所述侧向异质绝缘层OFET的制备方法包括如下步骤：在栅极上依次制备无机绝缘层和有机绝缘层；将金膜转移至有机绝缘层上，然后采用氧等离子体进行刻蚀；将未被所述金膜覆盖的有机绝缘层全部刻蚀掉后，转移金膜，得到有机绝缘层/无机绝缘层的异质绝缘层；在异质绝缘层上制备有机半导体层，有机半导体层连续地覆盖在异质绝缘层的交界处；在无机绝缘层和所述有机绝缘层上的有机半导体层上制备源漏电极，即得到侧向异质绝缘层OFET。与常规整流器件相比，本发明整流器件所耗原料少，普适性好；无需像PN结整流器挑选相应的相反类型半导体，也无需像肖特基整流器那样选择适配的金属材料。
基本信息
专利标题 ：
一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597309A
申请号 ：
CN202011416333.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江浪郁明刘洁朱丹蕾
申请人 ：
中国科学院化学研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
王春霞
优先权 ：
CN202011416333.4
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05 H01L51/00 H01L51/30
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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