一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构
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摘要
本实用新型提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体和若干个支撑装置，所述支撑装置包括基座和梯台形限位座，所述梯台形限位座固定安装在基座的顶部，所述梯台形限位座的顶部开设有凸型吸气槽，该沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构设计合理，元胞结构主体上安装了若干个支撑装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123165352.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
CN216648275U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
劳廉旭洪盛兰
申请人 ：
深圳市登辰易科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区宝源路2003号璟运大厦718-719
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123165352.7
主分类号 ：
H01L23/12
IPC分类号 ：
H01L23/12 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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