具有栅极间隔结构和低电阻通道耦接的场效应晶体管

专利权的终止

摘要

场效应晶体管结构(3p，3n)的间隔结构(24p，24n)至少局部增强有不动的载流子。在间隔结构里所聚集的电荷在位于下面的半导体基体(1)里感应出一个运动的载流子的增强区(13n，13p)。该增强区(13n，13p)减小了在相应源极/漏极区(61，62)和一个由栅电极(21)的一个电位所控制的相应的场效应晶体管结构(3p，3n)的通道部位(63)之间的一个通道耦接的电阻。从场效应晶体管结构(3p，3n)的栅电极(21)收拉的源极/漏极区(61，62)减小了在栅电极(21)和相应的源极/漏极区(61，62)之间的重叠电容。提出了用以分别合适方式聚集的间隔结构(24n，24p)制造具有n－FETs(3n)和p－FETs(3p)的晶体管装置的方法。

基本信息

专利标题：

具有栅极间隔结构和低电阻通道耦接的场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1855541A

申请号：

CN200610051519.8

公开（公告）日：

2006-11-01

申请日：

2006-02-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

M·歌德巴赫R·施托默

申请人：

英飞凌科技股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

苏娟

优先权：

CN200610051519.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/092 H01L21/336 H01L21/8238

法律状态

2017-04-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101713758321
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100515198
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20160228

2016-01-13 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101726687279
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100515198
登记生效日 : 20151225
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国瑙伊比贝尔格市

2012-10-24 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101456931326
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100515198
变更事项 : 专利权人
变更前 : 英飞凌科技股份公司
变更后 : 英飞凌科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 德国慕尼黑
变更后 : 德国慕尼黑

2012-10-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101456931327
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100515198
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英飞凌科技股份有限公司
变更后权利人 : 奇梦达股份公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20120917

2009-01-07 ：

授权

2006-12-27 ：

实质审查的生效

2006-11-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100449786C.PDF

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2、

CN1855541A.PDF

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