应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
专利权的终止
摘要
一种场效应晶体管，包括：衬底中的应变硅沟道；衬底中在应变硅沟道两端的源极/漏极区；应变硅沟道上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上的栅极。应变硅沟道的掺杂、衬底的掺杂和/或应变硅沟道的深度被配置成可在场效应晶体管的阈电压条件下，在栅极绝缘层中和在应变硅沟道表面中产生接近零的垂直电场。此外，栅极被配置成可提供接近于硅的中间能带隙的栅极逸出功。从而，提供了具有应变硅沟道和具有中间能带隙逸出功的栅极层的费米FET。本发明还描述了使用外延生长的相关的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116175A
申请号 ：
CN200580047814.X
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·R·小理查兹M·Y·－C·沈
申请人 ：
雷鸟技术有限公司
申请人地址 ：
美国北卡罗莱纳州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580047814.X
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/78 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643904052
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL200580047814X
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20141206
号牌文件序号 : 101643904052
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL200580047814X
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20141206
2010-02-24 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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