一种氧化镓基场效应晶体管
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摘要
本实用新型公开了一种氧化镓基场效应晶体管，属于半导体电子技术领域，包括衬底，所述衬底上部设有绝缘层，所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层，两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极，所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层，所述介质层上部设有栅电极；本实用新型设有二维层状材料界面修饰层，克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题，使得氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻，较高的载流子注入效率。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化镓基场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921416886.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN210325807U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
苏杰张君敬林珍华常晶晶郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐云侠
优先权 ：
CN201921416886.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/41 H01L29/78
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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