一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法，该柔性铁电负电容场效应晶体管自下而上包括：衬底、缓冲层、底电极、栅极介质层一、栅极铁电层、栅极介质层二，半导体沟道层；所述半导体沟道层的上层依次设有源极电极和漏极电极；并主要通过脉冲激光沉积工艺及利用离子溅射工艺，制备柔性铁电负电容场效应晶体管。本发明制备的柔性铁电负电容场效应晶体管亚阈值摆幅低至19.4mV/dec，且具有优秀的机械弯曲特性，能承受4mm弯折半径和反复500次的弯折，并在室温至180℃的宽温域内实现远低于60mV/dec的亚阈值摆幅，开关电流比约为105，制备工艺稳定，生产周期短。
基本信息
专利标题 ：
一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597263A
申请号 ：
CN202210292952.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王金斌唐铭锴任传来钟高阔戴李雨芬钟向丽谭丛兵张园
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区北二环湘潭大学
代理机构 ：
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
齐宝玲
优先权 ：
CN202210292952.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51 H01L21/34
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
