具有2晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构的存储器装置
实质审查的生效
摘要
一些实施例包括设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包括导电区、第一数据线、第二数据线、耦合到所述第一数据线和所述导电区的第一存储器单元、耦合到所述第二数据线和所述导电区的第二存储器单元、导电结构以及导电线。所述第一存储器单元包括耦合到第二晶体管的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一电荷存储结构。所述第二存储器单元包括耦合到第四晶体管的第三晶体管，所述第三晶体管包括第二电荷存储结构。所述导电结构位于所述第一电荷存储结构与所述第二电荷存储结构之间且与所述第一电荷存储结构和所述第二电荷存储结构电分离。所述导电线形成所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个的栅极。
基本信息
专利标题 ：
具有2晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构的存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503201A
申请号 ：
CN202080068877.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·M·考尔道刘海涛K·萨尔帕特瓦里D·V·N·拉马斯瓦米
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭晓文
优先权 ：
CN202080068877.8
主分类号 ：
G11C11/404
IPC分类号 ：
G11C11/404 G11C5/06 H01L21/8242 H01L27/108 H01L29/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/403
对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新
G11C11/404
有一个电荷传输门的，例如每个单元一个MOS晶体管
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/404
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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