多次可编程存储器的单元结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。
基本信息
专利标题 ：
多次可编程存储器的单元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020331150.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-16
授权号 ：
CN211350659U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
秋珉完金起準
申请人 ：
合肥晶合集成电路有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202020331150.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L27/11521 H01L21/28
法律状态
2021-01-01 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/423
变更事项 : 专利权人
变更前 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更后 : 合肥晶合集成电路股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
变更后 : 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更后 : 合肥晶合集成电路股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
变更后 : 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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