一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器
授权
摘要
本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明新型平面CTFET反相器中的NTFET与PTFET的隧穿结处均采用沟道覆盖源区的异质隧穿结形式，异质结隧穿可以提高反相器的工作频率，并且可以通过调控沟道覆盖源区的长度调节NTFET与PTFET的隧穿电流。NTFET与PTFET均为埋层漏的平面结构，利用电学特性隔离的方式避免了漏空隔离的工艺复杂度，而且可以实现与传统CMOS工艺的兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110459541A
申请号 ：
CN201910569151.1
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN110459541B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
吕红亮孟凡康芦宾张玉明吕智军朱翊
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张捷
优先权 ：
CN201910569151.1
主分类号 ：
H01L27/082
IPC分类号 ：
H01L27/082 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/082
只包含双极型的组件
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/082
申请日 : 20190627
申请日 : 20190627
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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