具有改进布局的场效应晶体管
公开
摘要
本发明涉及一种场效应晶体管、封装的场效应晶体管和包括其的电子器件。更具体地，本发明涉及一种具有改进的栅极指状件和漏极指状件布局的场效应晶体管。本发明提出了一种新的漏极指状件和栅极指状件布局，使得在沿着栅极指状件和漏极指状件的不同位置处的穿过晶体管单元的信号之间的相位延迟最小化。
基本信息
专利标题 ：
具有改进布局的场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631194A
申请号 ：
CN202080076640.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
帕特里克·瓦克
申请人 ：
安普林荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨市
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵桂芳
优先权 ：
CN202080076640.4
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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