嵌入式场极板场效应晶体管

授权

摘要

本发明涉及嵌入式场极板场效应晶体管。沟槽N沟道场效应晶体管具有有效区域和边缘区域。第一对平行延伸的深沟槽与管芯的侧边缘平行延伸。第二对平行延伸的深沟槽与侧边缘垂直地朝向侧边缘延伸，使得第二对的每个沟槽终止到第一对的内侧深沟槽中。嵌入式场极板结构嵌入在这些沟槽中。多个浮动P型阱区整体布置于第二对深沟槽之间，在有效区域与第一对的内侧深沟槽之间。使用这种边缘区域结构，因为与不具有浮动P型阱区的相同结构相比较，边缘区域的击穿电压增加，所以总体设备的击穿电压BV_DSS增加。

基本信息

专利标题：

嵌入式场极板场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110277452A

申请号：

CN201910125073.6

公开（公告）日：

2019-09-24

申请日：

2019-02-20

授权号：

CN110277452B

授权日：

2022-06-03

发明人：

K·W·索科

申请人：

IXYS有限责任公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN201910125073.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423 H01L29/40 H01L29/06

法律状态

2022-06-03 ：

授权

2019-10-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190220

2019-09-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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