半导体二极管及其方法
授权
摘要
在一个实施方案中，二极管被制作成在半导体衬底二个表面上具有阳极。
基本信息
专利标题 ：
半导体二极管及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822332A
申请号 ：
CN200510113551.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰·D·莫兰布兰卡·E·克鲁索约瑟·R·莫雷诺
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200510113551.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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