场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法
视为撤回的专利申请
摘要
在IGT(绝缘栅晶体管)中，用埋在结构中的专门的金属硅化物导电层使n型区(5c)与n型发射层的ρ型区(4b)，以及ρ型基极层短路。 n型区(5c)的长度缩短与阴极接触层(8)和栅极(7)之间的距离无关，使器件实际上不会闭锁。
基本信息
专利标题 ：
场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036666A
申请号 ：
CN89101864.6
公开（公告）日 ：
1989-10-25
申请日 ：
1989-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弗里德·海姆·鲍尔
申请人 ：
亚瑞亚·勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN89101864.6
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72 H01L29/54 H01L29/62 H01L29/78 H01L21/285 H01L21/60
法律状态
1991-10-09 ：
视为撤回的专利申请
1989-10-25 ：
公开
1989-09-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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