半导体衬垫
授权
摘要
本公开是关于一种半导体衬垫，该半导体衬垫包括有源层、第一介质层与栅极层，有源层设于一衬底上，所述有源层包括多个有源区和围绕各所述有源区的浅沟槽区；第一介质层设于所述有源层远离所述衬底的一侧上；栅极层设于所述第一介质层远离所述有源层的一侧上，所述栅极层包括栅极和填充介质，所述栅极在衬底上的正投影与所述有源区在衬底上的正投影无重叠部分。本公开提供的半导体衬垫，能够降低衬垫电容。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬垫
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921373418.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN210156375U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921373418.1
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L23/48 H01L23/528 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
