一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法。一种迁移率可控的场效应晶体管，包括衬底，衬底左上部设有源极区，衬底中上部设有沟道层，衬底右上部设有漏极区；沟道层左侧和右侧分别与源极区和漏极区邻接；源极区、沟道层和漏极区高度相同；源极区上表面设有源电极；漏极区上表面设有漏电极；还包括迁移率可控介质薄膜；迁移率可控介质薄膜设在沟道层上表面，迁移率可控介质薄膜宽度大于沟道层宽度；迁移率可控介质薄膜上表面设有栅极层；栅极层上表面设有栅电极。本发明可对场效应晶体管沟道中的反型层电荷进行调控，从而实现场效应晶体管对载流子迁移率的调控，最终提高了高性能电路的使用效率。
基本信息
专利标题 ：
一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497177A
申请号 ：
CN202111318541.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩根全彭悦刘芬宁肖文武刘艳郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
惠文轩
优先权 ：
CN202111318541.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211109
申请日 : 20211109
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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