一种高迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种高迁移率自旋场效应晶体管，包括源电极、漏电极、栅电极、半导体沟道、衬底。相对现有基于单一半导体沟道的自旋场效应晶体管，本半导体沟道结构具有能带结构可调、迁移率高、载流子浓度和种类可调、自旋扩散长度长等优势；相对传统衬底的自旋场效应晶体管，本发明引入具有压电特性的衬底，可通过衬底的表面极化电场调控载流子在半导体沟道内的自旋输运，可以有效降低开启或关断电压，提升栅极控制效果；相对现有自旋场效应晶体管制备工艺，本发明可以优化自旋隧穿层的晶体质量，提升载流子的自旋极化率，进而提高器件的开关比，降低工作电流。
基本信息
专利标题 ：
一种高迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566544A
申请号 ：
CN202210206631.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李煦
申请人 ：
厦门大学;厦门大学九江研究院
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王珂
优先权 ：
CN202210206631.3
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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