基于载流子调控的自旋波场效应晶体管及制备方法和应用
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摘要
一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度随电场响应技术十分成熟，实现与现代半导体工艺技术相互兼容。
基本信息
专利标题 ：
基于载流子调控的自旋波场效应晶体管及制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113345957A
申请号 ：
CN202110557067.5
公开（公告）日 ：
2021-09-03
申请日 ：
2021-05-21
授权号 ：
CN113345957B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
金立川徐嘉鹏宋祥林张怀武唐晓莉钟智勇
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202110557067.5
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-09-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/66
申请日 : 20210521
申请日 : 20210521
2021-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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