具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
半导体器件，包括具有由半导体形成的源和漏区、栅绝缘膜和栅电极区的晶体管，所述源、漏、栅绝缘膜和栅电极沿基片的主表面并列设置，其中至少一部分隐埋在该基片内。根据本发明，能够使MOS晶体管的面积小且表面平坦，从而能得到高速且高可靠的MOS晶体管。
基本信息
专利标题 ：
具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057131A
申请号 ：
CN91103681.4
公开（公告）日 ：
1991-12-18
申请日 ：
1991-06-03
授权号 ：
CN1032173C
授权日 ：
1996-06-26
发明人 ：
松本繁幸
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN91103681.4
主分类号 ：
H01L29/784
IPC分类号 ：
H01L29/784
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法律状态
2006-08-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1996-06-26 ：
授权
1992-10-14 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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