一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制...
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摘要
本发明公开了一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括P+GaAsSb源区、i‑InGaAs第一抑制层、i‑InGaAs第二抑制层、n+InGaAs第一漏区、n+InGaAs第二漏区、i‑InGaAs隧穿层、栅极介质层和凹型栅极；P+GaAsSb源区远离i‑InGaAs隧穿层的一侧设置有源极，n+InGaAs第一漏区设置有第一漏极，n+InGaAs第二漏区上设置有第二漏极。本发明通过引入凹型栅结构、隧穿层、抑制层、高k栅极介质以及GaAsSb/InGaAs异质结，提高了晶体管开态电流，降低了晶体管亚阈值摆幅与工作电压，可用于超低功耗集成电路器件。
基本信息
专利标题 ：
一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113540225A
申请号 ：
CN202110815592.2
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2021-07-19
授权号 ：
CN113540225B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈树鹏刘红侠王树龙张浩
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
傅晓
优先权 ：
CN202110815592.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331 H01L29/423 H01L29/205 H01L29/06
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20210719
申请日 : 20210719
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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