耗尽电压获取方法
公开
摘要
本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，方便研发人员使用此方法进行快速试验，加快研发进展，提升企业研发竞争力。
基本信息
专利标题 ：
耗尽电压获取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300370A
申请号 ：
CN202111367378.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳月波赖灿雄杨少华路国光
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
邓云鹏
优先权 ：
CN202111367378.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
