一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源结构，它包括：耗尽型NMOS管M1；增强型NMOS管M2和M3；增强型PMOS管M4和M5，M1的栅级和源级接VSS；M1的漏级与M4的漏级和栅级相连接；M2的源级与VSS连接；M2的栅级与M3的源级和电阻R1、R2串联电路相连接；电阻R2下端接VSS，上端与R1下端相连接；M2的漏级与M3的栅级、M5的漏级相连接；M3的漏级与电源VCC连接；M4的源级、M5的源级与电源VCC连接；M5的栅级与M4的栅级和漏级相连接；输出vref接到电阻R1、R2之间，电阻R1、R2为可调电阻；解决了电源纹波抑制比不好等技术问题。

基本信息

专利标题：

一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921092684.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-12

授权号：

CN209784846U

授权日：

2019-12-13

发明人：

马先林马奎郎宁杨发顺陈国辉

申请人：

贵州导芯集成电路科技有限公司

申请人地址：

贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区金阳科技产业园硕博创业园B栋607室

代理机构：

贵阳中新专利商标事务所

代理人：

商小川

优先权：

CN201921092684.7

主分类号：

G05F1/565

IPC分类号：

G05F1/565

相关图片

IPC结构图谱

G部——物理

G05

控制；调节

G05F

调节电变量或磁变量的系统

G05F1/00

从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统

G05F1/10

调节电压或电流

G05F1/46

其中由末级控制器实际调节的变量是直流的

G05F1/56

利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的

G05F1/565

除对系统输出偏差敏感的装置外，还检测系统一个工况或它的负载的，例如还检测电流、电压、功率因数

法律状态

2021-02-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : G05F 1/565
登记生效日 : 20210202
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 贵州导芯集成电路科技有限公司
变更后权利人 : 贵州道森集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 550081 贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区金阳科技产业园硕博创业园B栋607室
变更后权利人 : 550081 贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区国家数字内容产业园B区1楼

2019-12-13 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN209784846U.PDF

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