一种高精度高电源抑制比耗尽型电压基准电路

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摘要

本实用新型属于电源技术领域，具体公开了一种高精度高电源抑制比耗尽型电压基准电路，其包含开关管以及与其连接的第一级基准产生电路、第二级反馈电路；本实用新型利用耗尽型NMOS的特性产生一个不随温度、电源电压的变化而变化的内部参考电压，同时可以实现自启动，相比于采用三极管及运放的典型电压基准电路，本发明涉及的电压基准电路更加简化，尺寸更小；并且，本实用新型涉及的电压基准电路采用两级带反馈的电路实现基准电压的高精度、高稳定性和高电源电压抑制比等优点，能够广泛应用于各类DC/DC转换器中。

基本信息

专利标题：

一种高精度高电源抑制比耗尽型电压基准电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922336693.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-23

授权号：

CN211827062U

授权日：

2020-10-30

发明人：

王婉夏雪董磊王勇

申请人：

西安航天民芯科技有限公司

申请人地址：

陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层

代理机构：

西安利泽明知识产权代理有限公司

代理人：

刘伟

优先权：

CN201922336693.2

主分类号：

G05F1/567

IPC分类号：

G05F1/567