高电源抑制的带隙基准源
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
一种高电源抑制的带隙基准源，包括自偏置电路、调整电路、带隙核心电路和启动电路。带隙核心电路中的IPTAT产生电路通过运放的负反馈调整其静态工作点，使NPN管Q1、Q2的集电极电流精确相等，产生的IPTAT电流与恒流源电路中具有负温度系数的NPN晶体管Q8的VBE进行温度一阶补偿来降低温度系数。恒流源电路自身可产生偏置，为IPTAT产生电路提供偏置电流。运放电路为两级运放以提高增益，补偿电路为两级运放进行频率补偿。调整电路通过负反馈作用来消除基准输出VREF对电源电压的依赖，以提高PSRR。启动电路可消除“简并”偏置点，并驱动自偏置电路工作。自偏置电路为调整电路提供偏置电压。本实用新型电路结构简单新颖，不需要外接偏置，电路所占面积小，具有良好的温度系数。
基本信息
专利标题 ：
高电源抑制的带隙基准源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720087102.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-09-20
授权号 ：
CN201097250Y
授权日 ：
2008-08-06
发明人 ：
邹雪城陈晓飞刘占领雷鑑铭刘政林郑朝霞
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
曹葆青
优先权 ：
CN200720087102.7
主分类号 ：
G05F3/24
IPC分类号 ：
G05F3/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/24
其中只用场效应型晶体管的
法律状态
2009-07-01 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2007920
2008-08-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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