带隙基准电路
授权
摘要
本实用新型提供一种带隙基准电路，包括：核心电路以及启动PMOS管；所述启动PMOS管的源极与所述核心电路的电压源连接；所述启动PMOS管的漏极与所述核心电路的运放的反向输入端电连接；所述启动PMOS管的栅极与所述核心电路的电流源电连接，并从所述电流源获取偏置电压。本实用新型能够确保带隙基准电路的正确启动和稳定运行。
基本信息
专利标题 ：
带隙基准电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021132496.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-17
授权号 ：
CN211979542U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
王磊丁宏亮袁巍
申请人 ：
浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202021132496.5
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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