CMOS基准源电路

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准源电路，包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端，基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接，基准电流产生电路的输出端输出基准电流。

基本信息

专利标题：

CMOS基准源电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620170897.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-28

授权号：

CN201000586Y

授权日：

2008-01-02

发明人：

孙伟锋夏晓娟谢亮时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200620170897.3

主分类号：

G05F3/24

IPC分类号：

G05F3/24