一种高电源纹波抑制比超低温度依赖带隙基准电路
公开
摘要
本发明提供了一种高电源纹波抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)超低温度依赖带隙基准电路，利用双极型晶体管负温度依赖的基极‑发射极电压VBE，和两个面积不同的双极型晶体管所形成的正温度依赖的基极‑发射极电压差值ΔVBE，通过电阻调整一定的比例使正负温度依赖的电压相加，从而形成零温度依赖的基准电压。由于运算放大器和电流镜尺寸的选取和PSRR相关，通过提高运算放大器的增益、增大电流镜PMOS管的长度以及加入MOS低通滤波器，实现了高PSRR的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种高电源纹波抑制比超低温度依赖带隙基准电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114461001A
申请号 ：
CN202111594634.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘冉光
申请人 ：
苏州斯美芯微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市张家港高新技术产业开发区沙洲湖科创园A4幢D310室
代理机构 ：
深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓爱军
优先权 ：
CN202111594634.0
主分类号 ：
G05F1/565
IPC分类号 ：
G05F1/565
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外，还检测系统一个工况或它的负载的，例如还检测电流、电压、功率因数
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
