高阶温度补偿CMOS电流基准源

专利权的终止

摘要

高阶温度补偿CMOS电流基准源，属于电子技术领域，特别涉及温度补偿CMOS电源技术领域。包括启动电路、一阶温度补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路和电流叠加电路。本发明所提供的高阶温度补偿CMOS电流基准源，具有非常低的温度系数，可以在电流模式电路、高精度数模转换电路和有长金属线的模拟集成电路中。

基本信息

专利标题：

高阶温度补偿CMOS电流基准源

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779591A

申请号：

CN200510021871.2

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周号张波李肇基

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路二段四号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510021871.2

主分类号：

G05F3/24

IPC分类号：

G05F3/24 G05F3/26

IPC结构图谱

G部——物理

G05

控制；调节

G05F

调节电变量或磁变量的系统

G05F3/00

应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统

G05F3/02

调节电压或电流的

G05F3/08

其中变量是直流的

G05F3/10

利用具有非线性特性的非控制器件

G05F3/16

非控制器件是半导体器件

G05F3/20

应用了二极管与三极管的组合

G05F3/24

其中只用场效应型晶体管的

法律状态

2011-12-21 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101157722871
IPC(主分类) : G05F 3/24
专利号 : ZL2005100218712
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20080430
终止日期 : 20101018

2008-04-30 ：

授权

2006-07-26 ：

实质审查的生效

2006-05-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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