使用耗尽型MOSFET的超低箝位电压浪涌保护模块
公开
摘要
公开了一种使用耗尽型MOSFET(D MOSFET)的超低箝位电压浪涌保护模块(SPM)。SPM可以是电路或器件的一部分，并且包括初级保护级和次级保护级，其中D MOSFET连接在两个级之间。SPM可以包括单个D MOSFET、双D MOSFET或多个D MOSFET，并且初级和次级保护级可以利用许多不同的组件实施。相比于使用电感器的电路，使用(多个)D MOSFET的SPM具有改进的浪涌保护。
基本信息
专利标题 ：
使用耗尽型MOSFET的超低箝位电压浪涌保护模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114389245A
申请号 ：
CN202111169902.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秦传芳杜志德
申请人 ：
力特保险丝公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN202111169902.4
主分类号 ：
H02H9/00
IPC分类号 ：
H02H9/00 H02H9/02 H02H9/04 H02H9/06
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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