一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器
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摘要
本专利公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本专利的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
基本信息
专利标题 ：
一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921497343.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
CN210272386U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
胡伟达吴峰王鹏王芳张莉丽王振李庆陈效双陆卫
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201921497343.8
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/109 H01L31/18
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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